Elektronikarako Silizio Nitruro Zeramikazko Substratua

Elektronikarako Silizio Nitruro Zeramikazko Substratua

Elektronikarako Silizio Nitruro Zeramikazko Substrato zeramikazko material mota espezializatua da, hainbat industria-aplikaziotan erabiltzen dena, non indar handia, iraunkortasuna eta egonkortasun termikoa behar diren. Propietate mekaniko, termiko eta kimiko bereziak ematen dizkion silizio, nitrogeno eta beste elementu batzuen konbinazioz egina dago.

Si3N4 zeramikazko substratuak aparteko erresistentzia mekanikoa du, higadurari eta kolpeak eta konpresioak eragindako kalteei oso erresistentea denez. Era berean, kolpe termikoarekiko oso erresistentea da, tenperatura-aldaketa azkarrak jasateko gai da pitzadurarik edo hautsi gabe. Horrek tenperatura altuko industrietan erabiltzeko aproposa da, hala nola aeroespaziala, automobilgintzako ingeniaritza eta beroa xahutzea beharrezkoa den beste eremu batzuetan.

Propietate mekaniko eta termikoez gain, Si3N4 zeramikazko substratuak isolamendu elektriko bikaina eta korrosioarekiko erresistentzia ona eskaintzen ditu ingurune gogorretan. Elektronika eta erdieroaleen aplikazioetan erabiltzen da, hala nola potentzia-moduluetan eta tenperatura altuko elektronikan, beroa xahutzeko eta isolatzeko propietate bikainak direla eta.

Oro har, Si3N4 silizio nitruro zeramikazko substratua aparteko materiala da, aplikazio ugari dituena. Bere aparteko erresistentzia mekanikoa, egonkortasun termikoa, isolamendu elektrikoa eta erresistentzia kimikoa aproposa da hainbat aplikazio industrial eta elektronikoetarako, non fidagarritasuna eta eraginkortasuna faktore kritikoak diren.

Elektronikarako Torbo® Silizio Nitruro Zeramikazko Substratua

Elementua: silizio nitruroaren substratua

Materiala: Si3N4

Kolorea: Grisa

Lodiera: 0,25-1 mm

Azalera prozesatzea: leundu bikoitza

Solte-dentsitatea: 3,24 g/㎤

Gainazaleko zimurtasuna Ra: 0,4μm

Tolestura indarra: (3 puntuko metodoa): 600-1000Mpa

Elastikotasun modulua: 310Gpa

Hausturaren gogortasuna (IF metodoa): 6,5 MPa･√m

Eroankortasun termikoa: 25°C 15-85 W/(m･K)

Galera dielektrikoaren faktorea:0,4

Bolumen-erresistentzia: 25°C >1014 Ω･㎝

Matxura indarra: DC > 15㎸/㎜