Aluminio Nitruroa Substratua

Mullitasubstratua(3 a1203. 2Si02): A1203-Si02 sistema bitarreko kristal-fase egonkorrenetako bat da, nahiz eta erresistentzia mekanikoa eta eroankortasun termikoa A1203rekin alderatuta baxuak diren, baina bere konstante dielektriko baxua, beraz, seinalea gehiago hobetzea espero da. transmisio-abiadura. Hedapen termikoaren koefizientea ere baxua da, eta horrek LSIren tentsio termikoa murrizten du, eta Mo, W material eroalearen hedapen termikoaren koefizientearen aldea txikia da, ondorioz eroalearen artean tentsio baxua izatea bizikletan zehar.

Aluminioanitrurozko substratua:
a. Lehengaia: AIN presentzia ez-naturala da baina mineral artifiziala 1862an, Genther et al-ek sintetizatu zuten lehen aldiz. Aln hautsaren irudikapena nitruroen metodoa eta zuzeneko nitrurazio metodoa murriztea da. Lehenengoa A1203an purutasun handiko karbono murrizketa batekin erreakzionatzen ari da, eta gero nitrogenoarekin erreakzionatzen du, eta bigarrena zuzenean Nitrurazioa da. ;

b. Fabrikazio metodoa: A1203substratuafabrikazioa AIN substratuen fabrikazioan erabil daiteke, laminazio organikoaren metodoaren gehieneko erabilera, hau da, AIN lehengaiaren hautsa, itsasgarri organikoa eta disolbatzailea, surfaktantea nahastuta Zeramikazko minda, iragana, laminatua, prentsa beroa, koipegabetzea, erretzea

C. AIN substratuaren ezaugarriak: AIN 10 aldiz baino gehiago da, eta CTE siliziozko oblearekin bat dator. AIN materiala A1203-rekin nahiko erlazionatuta dago, isolamendu-erresistentzia, isolamendua eta konstante dielektrikoa txikiagoa da. Ezaugarri hauek oso arraroak dira ontziratzeko substratu aplikazioetarako;

d. Aplikazioa: VHF (Ultra High Frequency) maiztasun-gerriko potentzia-anplifikadorearen modulurako, potentzia handiko gailurako eta laser-diodoen substraturako erabiltzen da.